Зонски модел полупроводника. Директни и индиректни полупроводници. Електрони и шупљине. Густина квантних стања. Беспримесни и примесни полупроводник. Концентрација електрона и шупљина у равнотежи. Температурска зависност концентрације. Глобална неутралност просторног наелектрисања. Дрифт електрона у полупроводнику. Утицај температуре и допирања на покретљивост. Генерација и рекомбинација носилаца. Дрифт, дифузија и рекомбинација. Једначина континуитета. Структура ПН споја. Дифузиони потенцијал. Зонски профил ПН споја. Расподела слободног и везаног наелектрисања. ПН спој ван термодинамичке равнотеже. Струјно-напонска карактеристика ПН споја. Капацитивност ПН споја. Спој метал-полупроводник. Излазни рад и електронски афинитет. Термојонска емисија. Емисија путем електричног поља. Сцхотткy баријера и ефекат. Исправљачки контакт. Омски контакт. MOS структура. Расподела наелектрисања, поља и потенцијала. Режими поларизације MOS структуре: осиромашење, инверзија, акумулација. Хетероструктурни ПН спој. Зонска структура, расподела наелектрисања, поља и потенцијала. Директна и индиректна поларизација. Прелазни процеси у ПН споју. Зенер диоде. Лавинске диоде. Оптоелектронске компоненте базиране на ПН споју. Квалитативно разматрање: полупроводнички ласери, светлеће диоде, фотодетектори, соларне ћелије. Транзистори са ефектом поља. Квалитативна теорија рада ЈФЕТ-а. Линеарни режим рада и режим засићења. Квалитативна теорија рада MOSFET-а. Ефективна покретљивост. Теорија квадратног закона. Биполарни транзистори. Компоненте струје у транзистору. Параметри перформанси. Основне појачавачке конфигурације. Статичке карактеристике у активном режиму. Случај кратке базе. Early ефекат. Режими рада (директни и инверзни активни режим, засићење и закочење).
3035-fizicka-elektronika